Bolsa de Doutorado em Microeletrônica
PhD Fellowship in Microelectronics
Nº: 3027
Área de conhecimento: Engenharia
Field of knowledge: Engineering
Nº do processo FAPESP: 2017/50343-2
FAPESP process: 2017/50343-2
Título do projeto: Plano de Desenvolvimento Institucional na Área de Transformação Digital: Manufatura Avançada e Cidades Inteligentes e Sustentáveis (PDIP)
Project title: Digital Transformation: Autonomous Inertial Sensing (FAPESP-PDIP)
Área de atuação: Engenharia Eletrônica / Microeletrônica
Working area: Electrical Engineering / Microelectronics
Quantidade de vagas: 1
Number of places: 1
Início: 01/11/2019
Start: 2019-11-01
Pesquisador responsável: Zehbour Panossian
Principal investigator: Zehbour Panossian
Unidade/Instituição: IPT/Biomanufatura
Unit/Instituition: IPT/Biomanufatura
Data limite para inscrições: 30/08/2019
Deadline for submissions: 2019-08-30
Publicado em: 23/07/2019
Publishing date: 2019-07-23
Localização: Avenida Professor Almeida Prado, 532, São Paulo
Locale: Avenida Professor Almeida Prado, 532, São Paulo
E-mail para inscrições: gongoram@ipt.br
E-mail for proposal submission: gongoram@ipt.br
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Resumo
Summary
O Instituto de Pesquisas Tecnológicas (IPT) está buscando um candidato a bolsista de doutorado altamente qualificado e motivado para se juntar ao grupo de pesquisa do Laboratório de Micromanufatura (LMI) para o desenvolvimento de Front-End para Acelerômetros MEMS Capacitivos, como parte do Plano de Desenvolvimento Institucional (FAPESP-PDIP, Processo nº 2017/0343-2) na área de Transformação Digital: Manufatura Avançada e Cidades Inteligentes e Sustentáveis.
Requisitos do trabalho e principais responsabilidades
O candidato selecionado deve ter conhecimento adequado para a realização de doutorado após mestrado ou doutorado direto em projeto e simulação de circuitos integrados.
As principais funções do bolsista incluem (mas não estão limitadas a):
• Desenvolvimento de eletrônica para sensores inerciais MEMS (Acelerômetros Capacitivos);
• O desenvolvimento de projeto para fabricação de circuitos integrados que incluem a excitação do sensor, condicionamento de sinal, conversão A/D usando tecnologia Sigma-Delta, pré processamento da serie temporal digitalizada e comunicação numa rede de sensores;
• Propor procedimentos para caracterização de dispositivos;
• Redigir os relatórios e documentação associada aos projetos;
• Realizar as atividades de pós-graduação.O que nós oferecemos
Bolsa de estudos da FAPESP (http://www.fapesp.br/3162), válida por três anos. Como benefício adicional, o IPT oferece almoço aos seus beneficiários. Os pesquisadores também se beneficiarão de outras instalações laboratoriais disponíveis no IPT (http://www.ipt.br/en/fields_of_activity).
Habilidades e Experiência
• Habilidades e Experiência Necessárias:
- Graduação e/ou Mestrado em Engenharia Electrônica, ou Mecatrônica;
- A experiência em projeto de circuitos integrados;
- Experiência em processamento de sinais;
- Habilidades de resolução de problemas;
- Entendimento completo da tecnologia de processamento de s-semicondutores e “design rules”;
- Compreensão dos princípios fundamentais da atuação e detecção para MEMS.• Habilidades Pessoais
- Forte motivação para trabalhar de forma independente e como parte de uma equipe em um ambiente multidisciplinar, com a capacidade de prestar muita atenção aos detalhes e cumprir os prazos;
- Boa capacidade de comunicação e espírito de equipe;
- Proativo;
- Atitude de resolução de problemas.• Línguas
- Habilidades de comunicação em inglês e português são necessárias;
- É desejável nível intermediário de espanhol.Como Aplicar
Candidatos internacionais são bem-vindos para fazer inscrição.
Solicitações e dúvidas devem ser feitas para Mário Ricardo Gongora-Rubio: gongoram@ipt.br.
The Institute for Technological Research (IPT) in São Paulo, Brazil is seeking a highly qualified and motivated PhD candidate to join its Micromanufacturing Laboratory (LMI) research group for the development of Front End for Capacitive MEMS Accelerometers.
Job requirements and main responsibilities:
The successful candidate must have adequate knowledge to pursue a doctorate after master's degree or direct doctorate in integrated circuit design and simulation.
The grantee's main duties include, but are not limited to:
• Electronics development for MEMS (Capacitive Accelerometers) inertial sensors;
• Design development for integrated circuit manufacturing that includes sensor excitation, signal conditioning, A / D conversion using Sigma-Delta technology, pre-processing of the digitized time series and communication in a sensor network;
• Propose, procedures for device characterization;
• Write the reports and documentation associated with the projects;
• Perform postgraduate activities.What we offer
Scholarship funded by the São Paulo Research Foundation (FAPESP), duration of three years (see chart with FAPESP fellowship values at http://www.fapesp.br/3162). As an added benefit, IPT offers lunch to its beneficiaries. Researchers will also benefit from other laboratory facilities available at IPT (http://www.ipt.br/en/fields_of_activity).
Skills and Experience
• Skills and Experience Required:
- Degree and / or Master in Electronic Engineering, or Mechatronics;
- Experience in integrated circuit design;
- Experience in signal processing;
- Demonstrates problem solving skills;
- Comprehensive understanding of semiconductor processing technology and design rules;
- Understanding the fundamental principles of action and detection for MEMS.• Personal Skills
- Strong motivation to work independently and as part of a team in a multidisciplinary environment, with the ability to pay close attention to detail and meet deadlines;
- Good communication skills and team spirit;
- Proactive;
- Problem solving attitude.• Languages
- Communication skills in English and Portuguese are required;
- Intermediate level of Spanish is desirable.How to apply
International applicants are welcome to apply.
Requests and questions should be made to Mário Ricardo Gongora-Rubio: gongoram@ipt.br.
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Enviar
Oportunidade - Oportunidades Abertas Open Opportunities
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