Bolsa de PD em Semicondutores

Post-Doctoral Fellowship in Semiconductors

• Resumo Summary

  Desenvolvimento de tecnologias de semicondutores de carbeto de silício (SiC) para qubits baseados no controle de defeitos de superfície e de interface, utilizando diodos Schottky e capacitores MOS (Metal–Óxido–Semicondutor).

  O projeto tem como foco a fabricação, caracterização elétrica e óptica de dispositivos em SiC, com ênfase em:

  • Fabricação de diodos Schottky e capacitores MOS em substratos de 4H-SiC;

  • Engenharia controlada de defeitos de superfície e interface por técnicas como focused ion beam (FIB), nitridação e oxidação por plasma;

  • Caracterização elétrica por medidas corrente–tensão (I–V) e capacitância–tensão (C–V) em temperaturas criogênicas ultrabaixas (< 4 K);

  • Caracterização óptica por espectroscopia de fotoluminescência (PL) para identificação de transições eletrônicas associadas a defeitos;

  • Investigação da viabilidade desses defeitos como plataformas para qubits em estado sólido e aplicações em sensoriamento quântico.

  O projeto será desenvolvido no contexto das atividades estratégicas do CEPID CRISQuaM, com forte integração entre nanofabricação, caracterização criogênica e espectroscopia de defeitos.

  A vaga está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 12.570,00 Cmensais e Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.

  Development of silicon carbide (SiC) semiconductor technologies for quantum bits based on controlled surface and interface defects, using Schottky diodes and metal–oxide–semiconductor (MOS) capacitors.

  The project focuses on the fabrication, electrical, and optical characterization of SiC-based devices, with emphasis on:

  • Fabrication of Schottky diodes and MOS capacitors on 4H-SiC substrates;

  • Controlled engineering of surface and interface defects using techniques such as focused ion beam (FIB), plasma nitridation, and plasma oxidation;

  • Electrical characterization through current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) measurements at deep cryogenic temperatures (< 4 K);

  • Optical characterization by photoluminescence (PL) spectroscopy to identify electronic transitions associated with defect states;

  • Investigation of the feasibility of defect-based solid-state quantum bits and applications in quantum sensing.

  The fellow will work at the Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies of the State University of Campinas (CCSNano/UNICAMP) in the state of São Paulo, Brazil, as part of the Center for Research and Innovation in Smart and Quantum Materials (CRISQuaM), a Research, Innovation and Dissemination Centers (RIDCs) supported by FAPESP ans based at UNICAMP.

  The project will be carried out within RIDC CRISQuaM's strategic research activities, with strong integration among nanofabrication, cryogenic characterization, and defect spectroscopy.

  This opportunity is open to candidates of any nationality. The selected candidate will receive a FAPESP Post-Doctoral fellowship in the amount of R$ 12,570.00 monthly and a research contingency fund, equivalent to 10% of the annual value of the fellowship which should be spent on items directly related to the research activity.