Bolsa de PD em Dispostivos Semicondutores

Post-Doctoral Fellowship in Semiconductor Devices

• Resumo Summary

  O grupo de pesquisa em Nanoeletrônica do Centro Universitário FEI, coordenado pelo Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez, está com vaga de Pós-Doutorado aberta. O projeto estuda, por meio de simulações numéricas 3D e dados experimentais, o desempenho elétrico dos MOSFETs com geometrias não convencionais da “Segunda Geração de Estilos de Leiaute de Porta”, operando em ambientes hostis de temperatura, radiações ionizantes e campos magnéticos externos.

  Requisitos do(a) candidato(a):

  - Experiência em simulações numéricas tridimensionais (Synopsys);
  - Conhecimento em caracterização elétrica experimental de MOSFETs de 100 K a 573 K;
  - Domínio dos equipamentos: microprovador Cascade Microtech, MMR's Variable Temperature Micro Probe Systems, 4Ch Micro Probe (MPS-CHL) da Nextron, Keithley 4200-SCS;
  - Conhecimento em testes de radiação com efeitos ionizantes por raios-X em MOSFETs, utilizando o difratômetro de raios-X Shimadzu XRD-6100;
  - Histórico consistente de publicações em periódicos de alto fator de impacto e Qualis/CAPES A4 ou superior.

  Benefícios e prazos:

  - Bolsa FAPESP de R$ 12.570,00 mensais, com duração de 25 meses e regime de dedicação exclusiva (40 horas);
  - Inscrições até 13/07/2025;
  - Início: 08/2025.

  Interessados(as) enviar e-mail para sgimenez@fei.edu.br (assunto “Bolsa_PD”), anexando o Currículo Vitae/Lattes, cópia do diploma de doutorado e do histórico acadêmico.

  A vaga está aberta a brasileiros(as) e estrangeiros(as). O(A) selecionado(a) receberá, além da Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP, uma Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.

  The Nanoelectronics research group coordinated by Prof. Dr. Salvador Pinillos Gimenez at Centro Universitário FEI (Faculty of Industrial Engineering's University Center) in São Bernardo do Campo, São Paulo Metropolitan Area, Brazil, has one post-doctoral position available. The project studies, by means of 3D numerical simulations and experimental data, the electrical performance of MOSFETs with unconventional geometries of the “Second Generation Gate Layout Styles”, operating in hostile environments of temperature, ionizing radiation, and external magnetic fields.

  Candidate requirements:

  - Experience in three-dimensional numerical simulations (Synopsys);
  - Knowledge in experimental electrical characterization of MOSFETs from 100 K to 573 K;
  - Equipment domain: Cascade Microtech microprobe, MMR's Variable Temperature Micro Probe Systems, 4Ch Micro Probe (MPS-CHL) from Nextron, Keithley 4200-SCS;
  - Knowledge in radiation tests with ionizing effects by X-rays in MOSFETs, using the Shimadzu XRD-6100 X-ray diffractometer;
  - Consistent history of publications in journal with high impact factor and Qualis/CAPES A4 or higher.

  Benefits and deadlines:

  - A 25-month scholarship worth BRL 12,570.00 per month funded by the São Paulo Research Foundation (FAPESP) which requires exclusive dedication (40 hours);
  - Applications until July 13, 2025;
  - Estimated start date: August 2025.

  Interested candidates should send an email to sgimenez@fei.edu.br (subject “Bolsa_PD”), attaching their CV, a copy of their doctoral degree, and academic transcript.

  This opportunity is open to candidates of any nationality. In addition to the FAPESP Post-Doctoral fellowship, the selected candidate will also receive a research contingency fund, equivalent to 10% of the annual value of the fellowship which should be spent on items directly related to the research activity.